[发明专利]一种MEMS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510365845.5 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105036060A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王文婧;郭群英;黄斌 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件，包括MEMS器件上电极(2)、隔热结构层(1)及MEMS器件下电极(3)，MEMS器件下电极(3)中设有硅柱(3b)，硅柱的下端与MEMS器件上电极(2)中的锚点(2b)对应键合连接、上端与MEMS器件下电极(3)中的金属引线(4)连接，实现垂直引线。本发明的一种MEMS器件，可以通过现有的技术手段按照本发明的步骤即可生产出来，在不需要改变器件结构的情况下，通过添加一独立的隔离结构来达到有效降低热应力、提高器件性能的效果，该热隔离结构简单、易于加工，制作完成后直接与器件层键合即可，大大提高了封装产品的可靠性和器件性能；实现器件垂直引线，缩小芯片体积，减小寄生电容，更高的传输速率及低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件，包括MEMS器件上电极(2)，MEMS器件上电极的底面键合隔热结构层(1)、MEMS器件上电极的上面键合MEMS器件下电极(3)，其特征在于：MEMS器件下电极(3)中设有一组带有绝缘结构的硅柱(3b)，硅柱下端与MEMS器件上电极中的锚点(2b)对应键合连接，MEMS器件下电极(3)顶层的埋氧层(3e)中制作与硅柱连接的金属引线(4)，所述每个硅柱(3b)上端与器件结构下电极(3)中的金属引线(4)对应连接。
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