[发明专利]一种MEMS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510365845.5 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105036060A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王文婧;郭群英;黄斌 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种MEMS器件，包括MEMS器件上电极(2)，MEMS器件上电极的底面键合隔热结构层(1)、MEMS器件上电极的上面键合MEMS器件下电极(3)，其特征在于：MEMS器件下电极(3)中设有一组带有绝缘结构的硅柱(3b)，硅柱下端与MEMS器件上电极中的锚点(2b)对应键合连接，MEMS器件下电极(3)顶层的埋氧层(3e)中制作与硅柱连接的金属引线(4)，所述每个硅柱(3b)上端与器件结构下电极(3)中的金属引线(4)对应连接。
2.一种MEMS器件的制作方法，其特征在于包括以下步骤：
a.隔热结构层(1)的制作：在双抛片中部光刻制作浅腔(1a)，双抛片硅衬底的四个拐角形成键合面(1b)，浅腔(1a)的位置对应MEMS器件上电极中的可动部件；
b.MEMS器件下电极(3)的制作：在SOI硅片上制作浅腔(3c)、键合面(3a)以及硅柱(3b)，制作刻蚀掩膜层，沿着硅柱(3b)圆柱面进行深环槽(3d)刻蚀直至SOI硅片的埋氧层(3e)，形成硅柱(3b)结构，在深环槽(3d)及硅柱(3b)的表面制作电隔离绝缘层(3f)，最后在深环槽中填充填充物(3h)；
c.MEMS器件上电极(2)的制作：将热隔离结构层(1)的硅衬底的四个拐角的键合面(1b)与采用SOI硅片键合，刻蚀该SOI硅片衬底层和埋氧层，释放可动结构形成可动结构(2c)、锚点(2a)，形成MEMS器件上电极(2)；
d.将MEMS器件上电极(2)与MEMS器件下电极(3)中对应的键合面硅硅键合，同时MEMS器件下电极(3)中的硅柱与MEMS器件上电极中的锚点也硅硅键合，然后去除MEMS器件下电极(3)中顶层硅，光刻打开埋氧层，制作引线孔(4a)，溅射金属，光刻制作金属引线(4)，合金。
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