[发明专利]包括自组装嵌段共聚物的膜和通过旋涂涂覆制造该膜的方法(Ia)有效

专利信息
申请号: 201510363815.0 申请日: 2015-03-31
公开(公告)号: CN105131326B 公开(公告)日: 2018-07-06
发明(设计)人: K·A-H·H·阿米尔;S·石 申请(专利权)人: 帕尔公司
主分类号: C08J9/26 分类号: C08J9/26;C08J5/18;C08J7/00;C08L53/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 汪宇伟
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 公开了式(I)的自组装二嵌段共聚物形成的膜:其中R1‑R4,n和m如本文所述,其可以用于制备纳米多孔膜。含有自组装为圆柱形态的二嵌段共聚物的膜的实施方式。同样公开了一种制备这种膜的方法,其包括旋涂涂覆含有二嵌段共聚物的聚合物溶液以获得薄膜,随后在溶剂蒸气中退火该薄膜层和/或在溶剂或溶剂混合物中浸泡以形成纳米多孔膜。
搜索关键词: 二嵌段共聚物 式( I ) 纳米多孔膜 自组装 涂覆 旋涂 制备 自组装嵌段共聚物 退火 聚合物溶液 溶剂混合物 溶剂蒸气 薄膜层 溶剂 薄膜 浸泡 制造
【主权项】:
1.一种制备包含式(I)的二嵌段共聚物的多孔膜的方法:其中:R1为任选被选自卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代的C1‑C22烷基,或任选被选自烷基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代的C3‑C11环烷基;R2为任选被选自羟基、氨基、卤素、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、酰氨基和硝基的取代基取代的C6‑C20芳基或杂芳基;R3和R4之一为任选被选自羟基、卤素、氨基和硝基的取代基取代的C6‑C14芳基,且R3和R4中另一个为任选被选自羧基、氨基、巯基、炔基、烯基、卤素、叠氮基和杂环基的取代基取代的C1‑C22烷氧基;和n和m独立地为10至2000;其中,含有R2的单体体积分数与含有R1的单体之比是2.3到5.6:1,所述方法包括:(i)在溶剂体系中溶解所述二嵌段共聚物,以获得聚合物溶液;(ii)将所述聚合物溶液旋涂到基材上;(iii)将在(ii)中获得的涂层退火,以获得自组装结构或多孔膜;(iv)将在(iii)中获得的自组装结构浸泡在溶剂或溶剂混合物中,以获得多孔膜;和任选(v)洗涤在(iii)或(iv)中获得的多孔膜。
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