[发明专利]存储器装置和半导体装置

摘要

目的之一是提供可以抑制其功耗的存储器装置和包括该存储器装置的半导体装置。对该存储器装置中的每个存储器单元，作为用于保持积累在起存储器元件作用的晶体管中的电荷的开关元件，提供有包括氧化物半导体膜作为有源层的晶体管。用作存储器元件的晶体管具有第一栅电极、第二栅电极、位于第一栅电极和第二栅电极之间的半导体膜、位于第一栅电极和半导体膜之间的第一绝缘膜、位于第二栅电极和半导体膜之间的第二绝缘膜、以及与半导体膜接触的源电极和漏电极。

主权项

1.一种半导体装置，包括：存储器单元，包括：第一晶体管；以及第二晶体管，其中所述第一晶体管包括：第一栅电极；所述第一栅电极上的第二栅电极；以及所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一沟道形成区域，其中所述第二晶体管包括第二沟道形成区域，所述第二沟道形成区域包含氧化物半导体，其中所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个直接连接到所述第一晶体管的所述第二栅电极，其中所述半导体装置还包括电容器，所述电容器包括：第一导电层；第二导电层，电连接到所述第二栅电极；以及绝缘层，置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，其中所述第一导电层由与所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的层形成，其中所述第二导电层由与所述第二栅电极相同的导电层形成，其中所述第二导电层、所述第二栅电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的所述一个形成节点。