[发明专利]存储器装置和半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

存储器单元，包括：

第一晶体管；以及

第二晶体管，

其中所述第一晶体管包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的第二栅电极；以及

所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一沟道形成区域，

其中所述第二晶体管包括第二沟道形成区域，所述第二沟道形成区域包含氧化物半导体，

其中所述第二晶体管的源电极和漏电极中的一个直接连接到所述第一晶体管的所述第二栅电极，

其中所述半导体装置还包括电容器，所述电容器包括：

第一导电层；

第二导电层，电连接到所述第二栅电极；以及

绝缘层，置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，

其中所述第一导电层由与所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极相同的层形成，

其中所述第二导电层由与所述第二栅电极相同的导电层形成，

其中所述第二导电层、所述第二栅电极以及所述第二晶体管的所述源电极和所述漏电极中的所述一个形成节点。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体是In-Ga-Zn-O基氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二沟道形成区域的氢浓度为5×10¹⁹/cm³或者更小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二晶体管的截止状态电流密度为100zA/μm或者更小。

5.一种半导体装置，包括：

第一晶体管，包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一绝缘层；

所述第一绝缘层上的第一半导体层；

第一源电极和第一漏电极，各与所述第一半导体层电接触；

所述第一半导体层、所述第一源电极和所述第一漏电极上的第二绝缘层；以及

所述第二绝缘层上的第二栅电极，

第二晶体管，包括：

第三栅电极；

所述第三栅电极上的第三绝缘层；

所述第三绝缘层上的第二半导体层；

所述第二半导体层上的第四绝缘层；以及

第二源电极和第二漏电极，各与所述第二半导体层电接触，

其中所述第二晶体管的所述第二源电极和所述第二漏电极中的一个直接连接到所述第一晶体管的所述第二栅电极，

其中所述第一半导体层和所述第二半导体层各包含氧化物半导体，

其中所述半导体装置还包括电容器，所述电容器包括：

第一导电层；

第二导电层，电连接到所述第二栅电极；以及

第五绝缘层，置于所述第一导电层与所述第二导电层之间，

其中所述第一导电层由与所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极相同的层形成，

其中所述第二导电层由与所述第二栅电极相同的导电层形成，

其中所述第二导电层、所述第二栅电极以及所述第二源电极和所述第二漏电极中的所述一个形成节点，并且

其中所述第五绝缘层在与所述第二绝缘层和所述第四绝缘层相同的绝缘层中形成。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，还包括：

第一沟道保护层，置于所述第一半导体层与所述第一源电极、所述第一漏电极和所述第二绝缘层的每个之间；

第二沟道保护层，置于所述第二半导体层与所述第二源电极、所述第二漏电极和所述第四绝缘层的每个之间；以及

附加的绝缘层，在所述第二栅电极、所述第二绝缘层和所述第四绝缘层的每个上形成并与之接触，

其中所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层由相同的层形成。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述第一绝缘层和所述第三绝缘层各包括包含硅和氮化物的层以及包含硅和氮化物的所述层上的包含硅和氧的层，

其中所述第一沟道保护层和所述第二沟道保护层各包含硅和氧，并且

其中所述第二绝缘层和所述第四绝缘层各包含硅和氧。