[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510349006.4 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104934483B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体元件及其制造方法。目的在于提供薄膜晶体管、以及用于制造具有受控阈值电压、高操作速度、相对容易的制造工艺、以及足够的可靠性的包括氧化物半导体的薄膜晶体管的方法。可消除对氧化物半导体层中的载流子浓度产生影响的杂质，诸如氢原子、或包含氢原子的化合物(诸如H2O)。可形成与氧化物半导体层接触的包含大量缺陷(诸如悬空键)的氧化物绝缘层，以使杂质扩散到氧化物绝缘层中，并且氧化物半导体层中的杂质浓度降低。可在通过使用低温泵排空、由此杂质浓度降低的沉积室中形成氧化物半导体层或与该氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅绝缘层；在形成所述栅绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理；在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；以及在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下对所述基板加热时通过溅射方法在所述氧化物半导体层上形成氧化物绝缘层，其中一部分所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层相接触，其中在所述氧化物半导体层与所述一部分所述氧化物绝缘层之间的界面处存在氢浓度峰值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510349006.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于太阳能电池正面接触层的沉积工艺
- 下一篇：有机发光二极管显示器
- 同类专利
- 专利分类
