[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510349006.4 | 申请日： | 2010-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN104934483B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;坂田淳一郎;宫永昭治;坂仓真之;肥塚纯一;丸山哲纪;井本裕己 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
1.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅绝缘层；
在形成所述栅绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理；
在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；以及
在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下对所述基板加热时通过溅射方法在所述氧化物半导体层上形成氧化物绝缘层，其中一部分所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层相接触，
其中在所述氧化物半导体层与所述一部分所述氧化物绝缘层之间的界面处存在氢浓度峰值。
2.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极；
在所述栅电极上形成栅绝缘层；
在形成所述栅绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理；
在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时通过使用脉冲直流电源的溅射方法在所述栅绝缘层上形成氧化物半导体层；以及
在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下对所述基板加热时通过溅射方法在所述氧化物半导体层上形成氧化物绝缘层，其中一部分所述氧化物绝缘层与所述氧化物半导体层相接触，
其中在所述氧化物半导体层与所述一部分所述氧化物绝缘层之间的界面处存在氢浓度峰值。
3.如权利要求1或2所述的用于制造半导体元件的方法，其特征在于进一步包括形成与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极的步骤。
4.如权利要求1或2所述的用于制造半导体元件的方法，其特征在于进一步包括在所述氧化物绝缘层上形成保护绝缘层的步骤，
其中所述保护绝缘层包含氮。
5.如权利要求1或2所述的用于制造半导体元件的方法，其特征在于，所述氧化物绝缘层是利用硅靶形成的。
6.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极和栅布线层；
在所述栅电极和所述栅布线层上形成第一绝缘层；
在形成所述第一绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理；
在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层；
形成与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极；以及
在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下对所述基板加热时通过溅射方法在所述氧化物半导体层上形成第二绝缘层，其中一部分所述第二绝缘层与一部分所述氧化物半导体层相接触，
其中所述栅电极和所述栅布线层包含在第一布线层中，
其中所述源电极和所述漏电极包含在第二布线层中，
其中所述第二布线层通过所述第一绝缘层中的接触孔连接到所述栅布线层，以及
其中在所述氧化物半导体层与所述一部分所述第二绝缘层之间的界面处存在氢浓度峰值。
7.一种用于制造半导体元件的方法，包括以下步骤：
在基板上形成栅电极和栅布线层；
在所述栅电极和所述栅布线层上形成第一绝缘层；
在形成所述第一绝缘层之后在低于或等于600℃的温度下对所述基板进行第一热处理；
在高于或等于100℃且低于或等于600℃的温度下对所述基板加热时通过使用脉冲直流电源的溅射方法在所述第一绝缘层上形成氧化物半导体层；
形成与所述氧化物半导体层接触的源电极和漏电极；以及
在高于或等于200℃且低于或等于400℃的温度下对所述基板加热时通过溅射方法在所述氧化物半导体层上形成第二绝缘层，其中一部分所述第二绝缘层与一部分所述所述氧化物半导体层相接触，
其中所述栅电极和所述栅布线层包含在第一布线层中，
其中所述源电极和所述漏电极包含在第二布线层中，
其中所述第二布线层通过所述第一绝缘层中的接触孔连接到所述栅布线层，以及
其中在所述氧化物半导体层与所述一部分所述第二绝缘层之间的界面处存在氢浓度峰值。
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