[发明专利]具有不同局部跨导的半导体开关器件有效
| 申请号： | 201510347674.3 | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN105206671B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | C·法赫曼;E·维西诺瓦斯奎兹;A·威尔梅洛斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及具有不同局部跨导的半导体开关器件。一种半导体器件包括半导体衬底，该半导体衬底具有外缘、限定出有源面积区域的多个可开关控制单元、和布置在限定出该有源面积区域域的可开关控制单元与外缘之间的边缘端接区域。每个可开关控制单元包括本体区域、栅极电极结构和源极区域。由可开关控制单元限定出来的该有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域并且至少包括具有第二跨导的第二可开关控制区域，该第二跨导与该第一跨导不同。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 不同 局部 半导体 开关 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，包括：外缘，多个可开关控制单元，限定出有源面积区域，以及边缘端接区域，布置在所述外缘与限定出所述有源面积区域的所述可开关控制单元之间，其中每个所述可开关控制单元都包括：本体区域、栅极电极结构和源极区域；源极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述源极区域欧姆接触；栅极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述栅极电极结构欧姆接触，其中由所述可开关控制单元限定出的所述有源面积区域至少包括具有第一跨导的第一可开关控制区域，并且至少包括具有与所述第一跨导不同的第二跨导的第二可开关控制区域。
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