[发明专利]具有不同局部跨导的半导体开关器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，包括：

外缘，

多个可开关控制单元，限定出有源面积区域，以及

边缘端接区域，布置在所述外缘与限定出所述有源面积区域的所述可开关控制单元之间，

其中每个所述可开关控制单元都包括：本体区域、栅极电极结构和源极区域；

源极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述源极区域欧姆接触；

栅极金属化结构，与所述可开关控制单元的所述栅极电极结构欧姆接触，

其中由所述可开关控制单元限定出的所述有源面积区域至少包括具有相应沟道区域的第一可开关控制区域，其中每个相应沟道区域都具有第一沟道宽度；并且至少包括具有相应沟道区域的第二可开关控制区域，其中每个相应沟道区域具有与所述第一沟道宽度不同的第二沟道宽度，

其中所述第二可开关控制区域布置在所述栅极金属化结构与所述第一可开关控制区域之间，其中所述第二可开关控制区域的所述沟道区域的所述第二沟道宽度小于所述第一可开关控制区域的所述沟道区域的所述第一沟道宽度，并且

其中所述第二可开关控制区域的面积区域与所述第一可开关控制区域和所述第二可开关控制区域的总面积区域之比率在从5％至50％的范围内。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中每个所述可开关控制单元具有给定的沟道宽度，并且

其中第一组可开关控制单元限定出所述第一可开关控制区域，而与所述第一组可开关控制单元不同的第二组可开关控制单元限定出所述第二可开关控制区域。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中从所述有源面积区域的接近所述栅极金属化结构的子面积区域到所述有源面积区域的更远离所述栅极金属化结构的中央，所述第一可开关控制区域的所述沟道区域的所述第一沟道宽度和所述第二可开关控制区域的所述沟道区域的所述第二沟道宽度阶梯式地改变。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中由所述可开关控制单元限定出的所述有源面积区域进一步至少包括具有相应沟道区域的第三可开关控制区域，所述相应沟道区域具有与所述第一沟道宽度和所述第二沟道宽度不同的第三沟道宽度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第二可开关控制区域形成所述有源面积区域的外环区域，而所述第一可开关控制区域形成所述有源面积区域的中央区域，并且

其中所述外环区域提供在所述有源面积区域的所述中央区域与所述边缘端接区域之间边界。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中与所述中央区域的所述可开关控制单元的所述第一沟道宽度相比，所述外环区域的所述第二可开关控制单元具有更小的沟道宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中由所述可开关控制单元限定出的所述有源面积区域至少包括所述第一可开关控制区域，并且至少包括所述第二可开关控制区域，并且至少包括具有相应沟道区域的第三可开关控制区域，其中每个相应沟道区域都具有与所述第一沟道宽度和所述第二沟道宽度不同的第三沟道宽度，

其中所述第三可开关控制区域布置在所述栅极金属化结构和所述第二可开关控制区域之间，

其中所述第三可开关控制区域的所述沟道区域的所述第三沟道宽度小于所述第二可开关控制区域的所述第二沟道区域，并且

其中所述第二可开关控制区域和所述第三可开关控制区域的总面积区域与所述第一可开关控制区域、所述第二可开关控制区域和所述第三可开关控制区域的总面积区域之比率在从5％至50％的范围内。