[发明专利]一种半导体激光器叠阵结构有效
| 申请号: | 201510342912.1 | 申请日: | 2015-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN105322432B | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
| 发明(设计)人: | 程东明 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
| 主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/40 |
| 代理公司: | 郑州中原专利事务所有限公司 41109 | 代理人: | 霍彦伟;李想 |
| 地址: | 450001 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | 本发明提供一种半导体激光器叠阵结构,包括半导体激光列阵模块和水槽模块,水槽模块内设置完全隔离的第一水槽和第二水槽,第一水槽和第二水槽的一端分别连接外部冷水源的进水口和出水口,与进水口相连的水槽槽体上开有流入孔,与出水口相连的水槽槽体上开有流出孔,流入孔和流出孔一一对应;半导体激光列阵模块的P电极中心设置一个U型通道,U型通道的两个通道口分别与槽体上设置的流入空和流出孔相连接。本发明将已封装好的半导体激光器列阵模块集成起来,实现半导体激光器的高密度封装,实现大功率激光输出;利用大通道实现同时对每个半导体激光器列阵模块的冷却,使整个叠阵结构实现大功率激光输出,保证激光器叠阵的高可靠性稳定工作。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 半导体激光器 结构 | ||
【主权项】:
1.一种半导体激光器叠阵结构,包括至少一个半导体激光列阵模块(8),所述半导体激光列阵模块(8)包括P电极(81)和N电极(82),在P电极(81)和N电极(82)之间封装有绝缘片(84)和列阵芯片(83),其特征在于:所述半导体激光器叠阵结构还包括水槽模块(7),水槽模块(7)内设置完全隔离的第一水槽(3)和第二水槽(4),第一水槽(3)和第二水槽(4)的一端分别连接外部冷水源的进水口和出水口,与进水口相连的第一水槽(3)上开有至少一个流入孔,与出水口相连的第二水槽(4)上开有至少一个流出孔,流入孔和流出孔一一对应;所述半导体激光列阵模块的P电极(81)中心设置一个U型通道(1),U型通道(1)的两个通道口分别与槽体上设置的流入孔和流出孔相连接。
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