[发明专利]一种半导体激光器叠阵结构

权利要求书

1.一种半导体激光器叠阵结构，包括至少一个半导体激光列阵模块（8），所述半导体激光列阵模块（8）包括P电极（81）和N电极（82），在P电极（81）和N电极（82）之间封装有绝缘片（84）和列阵芯片（83)，其特征在于：所述半导体激光器叠阵结构还包括水槽模块（7），水槽模块（7）内设置完全隔离的第一水槽（3）和第二水槽（4），第一水槽（3）和第二水槽（4）的一端分别连接外部冷水源的进水口和出水口，与进水口相连的第一水槽（3）上开有至少一个流入孔，与出水口相连的第二水槽（4）上开有至少一个流出孔，流入孔和流出孔一一对应；所述半导体激光列阵模块的P电极（81）中心设置一个U型通道（1），U型通道（1）的两个通道口分别与槽体上设置的流入孔和流出孔相连接。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述U型通道（1）的两个通道口处均设置螺纹（2），U型通道（1）的两个通道口通过中空螺丝钉与一一对应的流入孔和流出孔相连。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述第一水槽（3）和第二水槽（4）的一端分别通过铜管Ⅰ（6）和铜管Ⅱ（5）连接外部冷水源，所述外部冷水源为冷水机。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述第一水槽（3）和第二水槽（4）由无氧铜或者陶瓷或者铝或者不锈钢加工而成。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：在所述第一水槽（3）和第二水槽（4）的外部使用铝板或铜板或不锈钢板或陶瓷片密封形成水槽模块（7）。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述半导体激光列阵模块的数目与流入孔或者流出孔的数目相同。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述半导体激光器阵列模块的P电极厚度为2-8mm。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器叠阵结构，其特征在于：所述半导体激光列阵模块的P电极和N电极采用无氧铜制成。