[发明专利]一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法在审

专利信息
申请号: 201510340197.8 申请日: 2015-06-18
公开(公告)号: CN105118649A 公开(公告)日: 2015-12-02
发明(设计)人: 王成胜 申请(专利权)人: 浙江东阳东磁稀土有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F1/02;B22F1/00
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏
地址: 322118 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法。它具体操作方法如下:(1)以常规方法制备主相合金粉末;(2)一种金属或化合物M2负载在另一种金属或化合物M1的粉末上,做成混合合金粉末;(3)通过混合合金法将混合合金粉末掺入到主相合金粉末中;(4)混合后的粉末经成型压制后进行烧结,烧结后的样品再经过两次退火处理,得到钕铁硼磁体。本发明的有益效果是:通过此种方法同样达到在晶界中掺入两种或两种以上金属元素的效果,掺杂物在晶界相较为均匀分布,不需要用到非常复杂的工艺或者是一些高级的设备,降低了生产的成本,而且简化了掺杂的过程,同时有效增强了磁体的矫顽力。
搜索关键词: 一种 改善 钕铁硼 磁体 晶界相 方法
【主权项】:
一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法,其特征是,具体操作方法如下:(1)以常规方法制备主相合金粉末;(2)一种金属或化合物M2负载在另一种金属或化合物M1的粉末上,做成混合合金粉末;(3)通过混合合金法将混合合金粉末掺入到主相合金粉末中;(4)混合后的粉末经成型压制后进行烧结,烧结后的样品再经过两次退火处理,得到钕铁硼磁体。
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