[发明专利]一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法

权利要求书

1.一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，具体操作方法如下：

(1)以常规方法制备主相合金粉末；

(2)一种金属或化合物M2负载在另一种金属或化合物M1的粉末上，做成混合合金粉末；

(3)通过混合合金法将混合合金粉末掺入到主相合金粉末中；

(4)混合后的粉末经成型压制后进行烧结，烧结后的样品再经过两次退火处理，得到钕铁硼磁体。

2.根据权利要求1所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，在步骤(1)中，所述主相合金的成分为RE_xTm_yB，其中RE代表La、Ce、Pr、Nd、Gd、Dy、Tb、Ho中的一种或多种，Tm为Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Al、Sn、Zn元素中的一种或几种，x的范围为1.5-2.5，y的范围为12-16。

3.根据权利要求1所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，在步骤(2)中，所述金属或化合物M1和M2，包含有以下元素中的一种或多种：氢、碳、氮、氧、镁、铝、锰、铁、钴、铜、锌、镓、锆、铌、银、锡、镧系稀土元素，M1和M2中必须含有一种金属元素，而且M1与M2在化学成分上存在差异。

4.根据权利要求3所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，所述金属或化合物M1和M2中，必须含有一种金属元素，该金属元素占M1的组成比例范围为0.001wt％-100wt％，该金属元素占M2的组成比例范围为0.001wt％-100wt％。

5.根据权利要求3或4所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，所述金属或化合物M1和M2中，M1与M2的质量比范围为从0.001∶1到1000∶1。

6.根据权利要求3或4所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，所述的金属或化合物M1为粉末颗粒状，其粒径范围在0.001-100μm。

7.根据权利要求6所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，在步骤(2)中，利用真空蒸镀、阴极溅射、熔融混合、气雾化等方法，将M2负载在M1粉末上，负载后粉末粒径范围为0.001-200μm。

8.根据权利要求1或3或4所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，负载后的混合合金粉末结构为全包裹、半包裹或者黏附型复合结构。

9.根据权利要求1所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，在步骤(3)中，将负载后的混合合金粉末与主相合金粉末混合的时机为氢破之前、气流磨之前或者气流磨之后，掺入的混合合金粉末占总粉末重量的0.01％-5％。

10.根据权利要求1所述的一种改善钕铁硼磁体晶界相的方法，其特征是，在步骤(4)中，进行烧结的烧结温度范围为900-1100℃，两次退火处理中，第一次退火温度范围为850-950℃，第二次退火温度为450-550℃。