[发明专利]半导体器件和电子设备

摘要

本发明的各个实施例涉及半导体器件和电子设备。半导体器件的可靠性得到改进。该半导体器件包括：接线，作为用于在半导体衬底之上的第一绝缘膜之上形成的端子的导电膜图案；第二绝缘膜，以覆盖该接线的方式形成在第一绝缘膜之上；以及镍层，形成在从在第二绝缘膜中的开口暴露出来这部分接线之上。该接线由叠合膜形成，该叠合膜具有含有铝作为主要成分的主导体膜、和形成在该主导体膜的整个顶表面之上的导体膜。导体膜由钛膜、钨膜或者钨化钛膜形成。镍层形成在从开口暴露出来的这部分导体膜之上。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体芯片，具有主表面、以及与所述主表面相对的背表面，并且具有在所述主表面侧的第一端子、以及在所述背表面侧的第二端子；以及金属板，经由焊料而电耦合至所述半导体芯片的所述第一端子，其中所述半导体芯片包括：半导体衬底；层间绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上；用于所述第一端子的第一导电膜图案，形成在所述层间绝缘膜之上；绝缘膜，以覆盖所述第一导电膜图案的方式，形成在所述层间绝缘膜之上；用于所述第一端子的第一开口，形成在所述绝缘膜中，并且用于使所述第一导电膜图案的部分暴露出来；以及第一镍膜，形成在从所述第一开口暴露出来的这部分所述第一导电膜图案之上，其中用于控制在所述第一端子与所述第二端子之间的导通的半导体元件，形成在所述半导体衬底处，其中所述第一端子由所述第一导电膜图案和所述第一镍膜形成，其中所述第一导电膜图案由叠合膜形成，所述叠合膜具有：含有铝作为主要成分的第一导体膜、以及形成在所述第一导体膜的整个顶表面之上的第二导体膜，其中所述第一镍膜形成在从所述第一开口暴露出来的这部分所述第二导体膜之上，以及其中所述第二导体膜由钛膜、钨膜、或者钨化钛膜形成。