[发明专利]半导体器件和电子设备

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体芯片，具有主表面、以及与所述主表面相对的背表面，并且具有在所述主表面侧的第一端子、以及在所述背表面侧的第二端子；以及

金属板，经由焊料而电耦合至所述半导体芯片的所述第一端子，

其中所述半导体芯片包括：

半导体衬底；

层间绝缘膜，形成在所述半导体衬底之上；

用于所述第一端子的第一导电膜图案，形成在所述层间绝缘膜之上；

绝缘膜，以覆盖所述第一导电膜图案的方式，形成在所述层间绝缘膜之上；

用于所述第一端子的第一开口，形成在所述绝缘膜中，并且用于使所述第一导电膜图案的部分暴露出来；以及

第一镍膜，形成在从所述第一开口暴露出来的这部分所述第一导电膜图案之上，

其中用于控制在所述第一端子与所述第二端子之间的导通的半导体元件，形成在所述半导体衬底处，

其中所述第一端子由所述第一导电膜图案和所述第一镍膜形成，

其中所述第一导电膜图案由叠合膜形成，所述叠合膜具有：含有铝作为主要成分的第一导体膜、以及形成在所述第一导体膜的整个顶表面之上的第二导体膜，

其中所述第一镍膜形成在从所述第一开口暴露出来的这部分所述第二导体膜之上，以及

其中所述第二导体膜由钛膜、钨膜、或者钨化钛膜形成。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片进一步在所述主表面侧具有：控制端子，用于控制在所述第一端子与所述第二端子之间的导通，以及

其中所述控制端子由下列各项形成：第二导电膜图案，在与所述第一导电膜图案相同的层处；以及第二镍膜，形成在从用于所述控制端子的第二开口暴露出来的这部分所述第二导电膜图案之上，所述第二开口形成在所述绝缘膜中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述半导体元件是沟槽栅极型IGBT，

其中所述第一端子是发射极端子，

其中所述第二端子是集电极端子，以及

其中所述控制端子是栅极端子。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述半导体芯片进一步具有形成在所述第一镍膜之上的钯膜，以及

其中所述第一端子由所述第一导电膜图案、所述第一镍膜和所述钯膜形成。

5.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

层间绝缘膜，形成在所述半导体衬底的主表面之上；

用于耦合端子的导电膜图案，形成在所述层间绝缘膜之上；

绝缘膜，以覆盖所述导电膜图案的方式，形成在所述层间绝缘膜之上；

用于耦合端子的开口，形成在所述绝缘膜中，并且用于使所述导电膜图案的部分暴露出来；以及

镍膜，形成在从所述开口暴露出来的这部分所述导电膜图案之上，

其中所述导电膜图案由叠合膜形成，所述叠合膜具有：含有铝作为主要成分的第一导体膜、以及形成在所述第一导体膜的整个顶表面之上的第二导体膜，

其中所述镍膜形成在从所述开口暴露出来的这部分所述第二导体膜之上，以及

其中所述第二导体膜由钛膜、钨膜、或者钨化钛膜形成。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括：

形成在所述镍膜之上的金膜。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，进一步包括：

中介在所述镍膜与所述金膜之间的钯膜。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，进一步包括：

背表面电极，形成在与所述半导体衬底的所述主表面相对的背表面之上，

其中用于控制在所述导电膜图案与所述背表面电极之间的导通的半导体元件，形成在所述半导体衬底处。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中所述半导体元件是沟槽栅极型IGBT，

其中所述导电膜图案是用于发射极的导电膜图案，以及

其中所述背表面电极是用于集电极的背表面电极。