[发明专利]一种FBAR器件的封装结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510325187.7 | 申请日： | 2015-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN105097714A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 杨清华;欧毅;刘杰;赖亚明;吴光胜;顾程先;陈庆;朱丽娜 | 申请（专利权）人： | 贵州中科汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/48;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 冯谱 |
| 地址： | 556000 贵州省黔东南苗族侗族自治州凯*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FBAR器件的封装结构，所述封装结构包括衬底、至少一个第一凹槽、焊盘、第二凹槽、第一电极层、第二电极层和至少一个FBAR器件片：所述衬底的上表面形成至少一个第一凹槽；所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘；所述第二凹槽形成于所述焊盘的表面上；所述FBAR器件与所述焊盘键合，且FBAR器件的电极置于所述第一凹槽内；所述第一电极层形成于所述衬底的下表面上，同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁；所述第二电极层形成于所述第一电极层的下表面上。相应地，本发明还公开了一种FBAR器件封装结构的制造方法。实施本发明可降低封装工艺的难度，优化了生产工艺和生产周期，使封装成本大幅下降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fbar 器件 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种FBAR器件的封装结构，所述封装结构包括衬底、至少一个第一凹槽、焊盘、第二凹槽、第一电极层、第二电极层和至少一个FBAR器件，其特征在于：所述衬底的上表面形成至少一个第一凹槽；所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘；所述第二凹槽形成于所述焊盘的表面上；所述FBAR器件与所述焊盘键合，且FBAR器件的电极置于所述第一凹槽内；所述第一电极层形成于所述衬底的下表面上，同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁；所述第二电极层形成于所述第一电极层的下表面上。
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