[发明专利]一种FBAR器件的封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种FBAR器件的封装结构，所述封装结构包括衬底、至少一个第一凹槽、焊盘、第二凹槽、第一电极层、第二电极层和至少一个FBAR器件，其特征在于：

所述衬底的上表面形成至少一个第一凹槽；

所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘；

所述第二凹槽形成于所述焊盘的表面上；

所述FBAR器件与所述焊盘键合，且FBAR器件的电极置于所述第一凹槽内；

所述第一电极层形成于所述衬底的下表面上，同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁；

所述第二电极层形成于所述第一电极层的下表面上。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括金属层和至少一个凹坑；

所述凹坑形成于所述焊盘的表面上；

所述金属层形成于所述焊盘之上，填充所述凹坑、同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凹坑的深度范围是1μm～2μm，线宽范围是1μm～5μm。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述金属层的材料包括金、铜、银、镍、铂中的一种或其任意组合。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，还包括绝缘层；

所述绝缘层形成于所述第一凹槽的表面上。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽的深度范围是5μm～10μm。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第二凹槽的深度范围是80μm～200μm、宽度范围是2μm～10μm。

9.根据权利要求1中所述的封装结构，其特征在于，所述衬底的材料包括硅、玻璃、陶瓷中的一种或其任意组合。

10.根据权利要求1中所述的封装结构，其特征在于：

所述第一电极层的材料包括金、铜、银、镍、铂中的一种或其任意组合；

所述第二电极层的材料包括金、铜、银、镍、铂中的一种或其任意组合。

11.一种晶圆切割方法，用于在所述晶圆上形成多个如权利要求1至10中任意一项所述的封装结构，然后按照所述封装结构的位置进行晶圆切割。

12.一种FBAR器件封装结构的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

在衬底的上表面形成至少一个第一凹槽，并在所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘；

在所述焊盘的表面上形成第二凹槽；

将至少一个FBAR器件与所述焊盘键合，使FBAR器件的电极置于所述第一凹槽内；

对所述衬底的下表面进行减薄，使所述第二凹槽完全露出；

在所述衬底的下表面上形成第一电极层，且所述第一电极层覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁；

在所述第一电极层的下表面上形成第二电极层。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在衬底的上表面形成至少一个第一凹槽之后，该制造方法还包括：在所述第一凹槽的表面上形成绝缘层。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为SiO₂。

15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述第一凹槽两侧各形成一个焊盘之后，该制造方法还包括：在所述焊盘的表面上形成至少一个凹坑。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，所述凹坑的深度范围是1μm～2μm，线宽范围是1μm～5μm。

17.根据权利要求15所述的制造方法，其特征在于，在所述焊盘的上表面形成第二凹槽之后，该制造方法还包括：在焊盘的表面上形成金属层，所述金属层填充所述凹坑、同时覆盖所述第二凹槽的顶部和侧壁。

18.根据权利要求17所述的封装结构，其特征在于，所述金属层的材料包括金、铜、银、镍、铂中的一种或其任意组合。

19.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度范围是5μm～10μm。