[发明专利]一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201510321818.8 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105024004A | 公开（公告）日： | 2015-11-04 |
| 发明（设计）人： | 蔡鸿 | 申请（专利权）人： | 蔡鸿 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市嘉宏博知识产权代理事务所 44273 | 代理人： | 孙强 |
| 地址： | 515000 广东省汕*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片及其制作方法，其结构包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具备 散热 特性 高光效 垂直 led 结构 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，其特征在于：在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极，该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电层以及该第二透明导电层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层以及该第二透明导电层向外散发。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蔡鸿，未经蔡鸿许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510321818.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种热电复合材料及其制备方法
- 下一篇：发光装置
