[发明专利]一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其包括N型半导体层、P型半导体层以及有源层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，其特征在于：

在该N型半导体层顶面上设置有第一透明散热层，在该P型半导体层底面上设置有第二透明散热层，在该N型半导体层与该第一透明散热层之间设置有第一透明导电层，在该P型半导体层与该第二透明散热层之间设置有第二透明导电层，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第二透明导电层上电连接有第二电极，

该第一电极以及该第二电极分别连接外部电路的正负极线，电流由该第一电极以及该第二电极流入该第一透明导电层以及该第二透明导电层并进一步流入该N型半导体层以及该P型半导体层中并激发由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成的该PN结发光，在该PN结发光的同时其发光所产生的热量由该第一透明导电层以及该第二透明导电层向外散发。

2.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光玻璃制成。

3.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明导电层以及该第二透明导电层中分别设置有若干导线，设置在该第一透明导电层中的若干该导线一端与该第一电极相连接，而其另外一端与该N型半导体层相连接，设置在该第二透明导电层中的若干该导线一端与该第二电极相连接，而其另外一端与该P型半导体层相连接。

4.如权利要求1所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明导电层以及该第二透明导电层分别与若干导线贴合电连接，若干该导线附着在导电膜上。

5.如权利要求1至4任意一项所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：该第一透明散热层相对于该N型半导体层外伸形成一第一凸出部，该第一电极位于该第一凸出部上，该第二透明散热层相对于该P型半导体层外伸形成一第二凸出部，该第二电极位于该第二凸出部上，该第一凸出部以及该第二凸出部分别位于该PN结的不同侧端，从而方便与外部电路连接。

6.如权利要求1至4任意一项所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片，其特征在于：在该第一透明散热层以及该第二透明散热层上分别开设有电极孔，该第一电极设置在该第一透明散热层的该电极孔中，该第二电极设置在该第二透明散热层的该电极孔中该高效散热LED芯片结构的各个层结构整齐叠设在一起。

7.一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步、在蓝宝石衬底上依次生长制作P型半导体层、有源层、N型半导体层，其中，该有源层设置在该N型半导体层与该P型半导体层之间，由该N型半导体层、该P型半导体层以及该有源层形成一PN结，

第二步、在该N型半导体层顶面上设置第一透明导电层，之后将第一透明散热层键合设置在该N型半导体层的顶面上，该第一透明导电层位于该N型半导体层与该第一透明散热层之间，该第一透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第一透明导电层上电连接有第一电极，该第一电极通过该导电膜、若干该导线以及该第一透明导电层与该N型半导体层电连接，

第三步、将该P型半导体层底面上的该蓝宝石衬底剥离掉，

第四步、在该P型半导体层底面上设置第二透明导电层，之后将第二透明散热层键合设置在该P型半导体层底面上，该第二透明导电层位于该P型半导体层底面与该第二透明散热层之间，该第二透明散热层的底面上设置有导电膜，该导电膜上设置有若干导线，该第二透明导电层上电连接有第二电极，该第二电极通过该导电膜、若干该导线以及该第二透明导电层与该P型半导体层底面电连接。

8.如权利要求7所述的一种具备散热特性的高光效垂直LED结构芯片的制作方法，其特征在于：第二、四步中的该第一透明散热层以及该第二透明散热层由散热透光玻璃制成，该第一透明散热层的顶面以及该第二透明散热层的底面分别进行粗糙化处理。