[发明专利]二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔和二维六角形晶格化合物的制造方法有效
| 申请号： | 201510321784.2 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105274382B | 公开（公告）日： | 2018-02-23 |
| 发明（设计）人： | 千叶喜宽 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/00 | 分类号： | C22C9/00;C22F1/08;C23C16/01;C23C16/34;C23C16/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 梅黎,刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供可低成本且高品质地生产石墨烯等的二维六角形晶格化合物的轧制铜箔以及使用其的二维六角形晶格化合物的制造方法。二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔，其中，含有P0.01～0.21wt%、Fe0.006wt%以下，余部包含Cu和不可避免的杂质，在1000℃加热30分钟后、轧制面的由X射线衍射求得的111衍射强度（I），与微粉铜的由X射线衍射求得的111衍射强度（I0）之比为2.0≤（I/I0）。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 六角形 晶格 化合物 制造 轧制 铜箔 方法 | ||
【主权项】：
二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔，其含有P：0.01～0.21wt%、Fe：0.006wt%以下，余部包含Cu和不可避免的杂质，在1000℃加热30分钟后、轧制面的由X射线衍射求得的111衍射强度（I），与微粉铜的由X射线衍射求得的111衍射强度（I0）之比为2.0≤（I/I0）。
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