[发明专利]二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔和二维六角形晶格化合物的制造方法有效
申请号: | 201510321784.2 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN105274382B | 公开(公告)日: | 2018-02-23 |
发明(设计)人: | 千叶喜宽 | 申请(专利权)人: | JX日矿日石金属株式会社 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00;C22F1/08;C23C16/01;C23C16/34;C23C16/26 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 梅黎,刘力 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二维 六角形 晶格 化合物 制造 轧制 铜箔 方法 | ||
1.二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其含有P:0.01~0.21wt%、Fe:0.006wt%以下,余部包含Cu和不可避免的杂质,
在1000℃加热30分钟后、轧制面的由X射线衍射求得的111衍射强度(I),与微粉铜的由X射线衍射求得的111衍射强度(I0)之比为2.0≤(I/I0)。
2.根据权利要求1所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其中,在所述1000℃加热30分钟后,利用JIS H0501的切断法测定的平均晶体粒径为1000μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其中,
观察面积为0.003mm2的截面时,存在1~60个圆换算直径为0.1μm以上的夹杂物。
4.根据权利要求1或2所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其厚度为5~50μm。
5.根据权利要求1或2所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其中,所述二维六角形晶格化合物为石墨烯或氮化硼。
6.根据权利要求1或2所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其中,进而含有总计为0.01wt%以下的选自Ni、Sn、Mg、Ti和Zr中的1种以上的元素。
7.根据权利要求1或2所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔,其通过将锭块热轧后,反复进行1次以上的退火和冷轧,进而进行再结晶退火后,进行最终冷轧而制造,
所述最终冷轧的加工度η为1.0≤η≤4.5。
8.二维六角形晶格化合物的制造方法,其是使用了权利要求1~7中任一项所述的二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔的二维六角形晶格化合物的制造方法,其中,具有
在规定的室内,配置加热了的所述二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔的同时,供给所述二维六角形晶格化合物的原料气体,在所述二维六角形晶格化合物制造用轧制铜箔的表面形成所述二维六角形晶格化合物的二维六角形晶格化合物形成工序,和
一边在所述二维六角形晶格化合物的表面层叠转印片,将所述二维六角形晶格化合物转印至所述转印片上,一边将所述二维六角形晶格化合物制造用铜箔进行蚀刻除去的二维六角形晶格化合物转印工序。
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