[发明专利]绝缘膜的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201510303252.6 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105304484B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 高桥阳;中山溪;五十岚义树;广津信 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳,李炬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对绝缘膜进行蚀刻的方法。一实施方式的方法包括(a)在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和(b)在接着第一期间之后的第二期间，为了激发被供给到处理容器内的处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，该第二期间内高频电力接通的期间比第一期间内高频电力接通的期间长。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻方法，其用于对被处理体的绝缘膜进行蚀刻，该被处理体包括配线层、设置在该配线层上的所述绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的由有机膜构成的掩模，所述蚀刻方法的特征在于，包括：在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和在接着所述第一期间之后的第二期间，为了激励被供给到所述处理容器内的所述处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，其中，该第二期间内所述高频电力接通的时间比所述第一期间内在由所述高频电力接通的期间和所述高频电力断开的期间构成的一周期内所述高频电力接通的时间长，交替地反复进行所述周期性地切换所述高频电力的接通和断开的步骤和所述将所述高频电力设定为连续接通的步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510303252.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
