[发明专利]绝缘膜的蚀刻方法

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其用于对被处理体的绝缘膜进行蚀刻，该被处理体包括配线层、设置在该配线层上的所述绝缘膜和设置在所述绝缘膜上的由有机膜构成的掩模，所述蚀刻方法的特征在于，包括：

在第一期间内，为了激励被供给到等离子体处理装置的处理容器内的包含碳氟化合物的处理气体，周期性地切换高频电力的接通和断开的步骤；和

在接着所述第一期间之后的第二期间，为了激励被供给到所述处理容器内的所述处理气体，将高频电力设定为连续接通的步骤，其中，该第二期间内所述高频电力接通的时间比所述第一期间内在由所述高频电力接通的期间和所述高频电力断开的期间构成的一周期内所述高频电力接通的时间长，

交替地反复进行所述周期性地切换所述高频电力的接通和断开的步骤和所述将所述高频电力设定为连续接通的步骤。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述绝缘膜为单一的膜。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第二期间为比在所述一周期内所述高频电力接通的所述期间长100倍以上的期间。

4.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述将所述高频电力设定为连续接通的步骤中，与所述周期性地切换所述高频电力的接通和断开的步骤相比，碳氟化合物的离解度更高。

5.如权利要求3所述的蚀刻方法，其特征在于：

在所述将所述高频电力设定为连续接通的步骤中，与所述周期性地切换所述高频电力的接通和断开的步骤相比，碳氟化合物的离解度更高。