[发明专利]一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺有效
| 申请号： | 201510302473.1 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN105280484B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王芹芹 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L21/324;H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213031 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，包括如下步骤：（1）进炉；（2）低温氧化；（3）低温气体反应沉积；（4）升温杂质再分布；（5）高温气体反应沉积；（6）降温杂质再分布；（7）低温气体反应沉积；（8）低温杂质再分布；（9）出炉。本发明可提高电池片的光电转化率，缩短生产时间，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高效 高方阻 电池 扩散 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，包括如下步骤：(1)进炉，进炉温度维持在750‑800℃；(2)低温氧化，低温氧化的温度维持在750‑800℃；(3)低温气体反应沉积，将温度维持在750‑800℃，并通入流量为500‑1000sccm的较低浓度的小氮；(4)升温杂质再分布，将温度上升至800‑850℃；(5)高温气体反应沉积，将温度维持在800‑850℃，并通入流量为1000‑1500sccm的较高浓度的小氮；(6)降温杂质再分布，将温度降至750‑800℃；(7)低温气体反应沉积，将温度维持在750‑800℃，通入流量为500‑1000sccm的较低浓度的小氮；(8)低温杂质再分布，将温度维持在750‑800℃；(9)出炉，出炉温度维持在750‑800℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
