[发明专利]一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺

权利要求书

1.一种晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，包括如下步骤：

(1)进炉，进炉温度维持在750-800℃；

(2)低温氧化，低温氧化的温度维持在750-800℃；

(3)低温气体反应沉积，将温度维持在750-800℃，并通入流量为500-1000sccm的较低浓度的小氮；

(4)升温杂质再分布，将温度上升至800-850℃；

(5)高温气体反应沉积，将温度维持在800-850℃，并通入流量为1000-1500sccm的较高浓度的小氮；

(6)降温杂质再分布，将温度降至750-800℃；

(7)低温气体反应沉积，将温度维持在750-800℃，通入流量为500-1000sccm的较低浓度的小氮；

(8)低温杂质再分布，将温度维持在750-800℃；

(9)出炉，出炉温度维持在750-800℃。

2.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(1)的过程为：将硅片放入扩散炉中，将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm(标准毫升/分钟)的氮气，持续时间为10-20min。

3.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(2)的过程为：将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气以及流量为1000-2000sccm的干氧，持续时间为5-10min。

4.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(3)的过程为：将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气、流量为500-1000sccm的干氧以及流量为500-1000sccm的较低浓度的小氮，持续时间为5-15min。

5.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(4)的过程为：将温度上升至800-850℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气，持续时间为10-20min。

6.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(5)的过程为：将温度维持在800-850℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气、流量为500-1000sccm的干氧以及流量为1000-1500sccm的较高浓度的小氮，持续时间为10-25min。

7.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(6)的过程为：将温度降至750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气，持续时间为10-20min。

8.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(7)的过程为：将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气、流量为500-1000sccm的干氧以及流量为500-1000sccm的较低浓度的小氮，持续时间为5-10min。

9.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(8)的过程为：将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气，持续时间为5-10min。

10.根据权利要求1所述的晶硅高效高方阻电池片的扩散工艺，其特征在于：所述步骤(9)的过程为：将温度维持在750-800℃，通入流量为6000-8000sccm的氮气，持续时间为10-20min，之后将硅片取出。