[发明专利]一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201510301076.2 | 申请日： | 2015-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN105025423B | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王小青;宁瑾;徐团伟;俞育德;魏清泉;刘文文;蒋莉娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H04R31/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种驻极体电容式超声传感器，包括低阻衬底、驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振动薄膜、上电极。其中，在支撑层中形成圆形或其他形状空腔二维阵列，成排、列对齐分布；在振动薄膜上沉积金属作为上电极，该上电极为图形阵列，并且与衬底空腔阵列的图形一一对应分布，彼此连接在一起。本发明利用驻极体材料提供CMUT正常工作时需要的直流电场，实现无需外加直流偏置电压的新型电容式超声传感器结构，具有低功耗、微型化、可靠性高、安全性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驻极体 电容 超声 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种驻极体电容式超声传感器，包括驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振膜和上电极，所述绝缘层位于所述驻极体材料层之上，所述支撑层位于所述绝缘层之上，所述上电极为在所述振膜上沉积导电材料形成的图形阵列，其特征在于，在所述支撑层中形成二维空腔阵列结构，在所述二维空腔阵列结构之上由SOI外延片通过键合技术形成所述振膜。
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