[发明专利]一种驻极体电容式超声传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种驻极体电容式超声传感器，包括驻极体材料层、绝缘层、支撑层、振膜和上电极，所述绝缘层位于所述驻极体材料层之上，所述支撑层位于所述绝缘层之上，所述上电极为在所述振膜上沉积导电材料形成的图形阵列，其特征在于，在所述支撑层中形成二维空腔阵列结构，在所述二维空腔阵列结构之上由SOI外延片通过键合技术形成所述振膜。

2.根据权利要求1所述的驻极体电容式超声传感器，其特征在于，所述上电极的图形阵列中的图形与所述二维空腔阵列结构的图形一一对应分布。

3.根据权利要求1所述的驻极体电容式超声传感器，其特征在于，所述驻极体材料层采用有机或无机驻极体材料。

4.根据权利要求1所述的驻极体电容式超声传感器，其特征在于，所述二维空腔阵列结构中的空腔和所述上电极图形阵列中的图形均为圆形。

5.一种驻极体电容式超声传感器的制作方法，包括以下步骤：

步骤1：在衬底上形成无机或有机驻极体层；

步骤2：在所述驻极体层上沉积绝缘层；

步骤3：在所述绝缘层上沉积支撑层；

步骤4：在所述支撑层中形成二维空腔阵列结构；

步骤5：在所述二维空腔阵列结构之上形成振膜；

步骤6：在所述振膜上沉积上电极，其中所述上电极为图形阵列。

6.根据权利要求5所述的驻极体电容式超声传感器的制作方法，其中所述上电极图形阵列中的图形与所述二维空腔阵列结构的图形一一对应分布。

7.根据权利要求5所述的驻极体电容式超声传感器的制作方法，其中所述步骤4进一步包括：在所述支撑层上涂抹光刻胶，经过曝光、显影之后，通过湿法腐蚀或干法刻蚀，在所述支撑层中形成所述二维空腔阵列结构，最后去除残留光刻胶。

8.根据权利要求5所述的驻极体电容式超声传感器的制作方法，其中所述步骤5进一步包括：将带有所述二维空腔阵列结构的衬底与待加工的SOI外延片进行湿法和干法表面活化处理，采用键合技术，将所述SOI外延片倒装键合于所述二维空腔阵列结构之上，形成一个整体结构；键合完成后，将所述SOI外延片的底硅和埋氧层腐蚀掉，只留下顶层硅作为所述振膜。

9.根据权利要求5所述的驻极体电容式超声传感器的制作方法，其中步骤6中所述在振膜上沉积上电极的步骤包括：在所述振膜上涂抹光刻胶，经曝光、显影后，在所述振膜上形成彼此交联的上电极图形阵列，去除残留光刻胶，形成图形化的所述上电极。

10.根据权利要求9所述的驻极体电容式超声传感器的制作方法，其中所述上电极图形阵列中的图形与所述二维空腔阵列结构中的空腔均为圆形。