[发明专利]一种功率器件分压结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201510300071.8 | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN106298478A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率器件分压结构及其制作方法，包括：在衬底上通过外延生长形成具有第一导电类型的外延层；在所述外延层上设置第一掩膜层，刻蚀所述第一掩膜层，形成第一阻挡墙和第一注入区窗口；进行第一次第二导电类型离子注入，在所述第一注入区窗口对应的外延层内形成轻掺杂区；设置第二掩膜层，刻蚀所述第二掩膜层，形成位于所述第一注入区窗口内的第二阻挡墙和第二注入区窗口；进行第二次第二导电类型离子注入，在所述第二注入区窗口对应的外延层内形成重掺杂区，所述轻掺杂区与相对应的重掺杂区构成一个场限环。用以解决传统场限环的面积较大且场限环结构表面不稳定的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种功率器件分压结构的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上通过外延生长形成具有第一导电类型的外延层；在所述外延层上设置第一掩膜层，刻蚀所述第一掩膜层，形成第一阻挡墙和第一注入区窗口；进行第一次第二导电类型离子注入，在所述第一注入区窗口对应的外延层内形成轻掺杂区；设置第二掩膜层，刻蚀所述第二掩膜层，形成位于所述第一注入区窗口内的第二阻挡墙和第二注入区窗口；进行第二次第二导电类型离子注入，在所述第二注入区窗口对应的外延层内形成重掺杂区，所述轻掺杂区与相对应的重掺杂区构成一个场限环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
