[发明专利]陶瓷热敏电阻器真空溅射电极及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201510298665.X 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN105006316A 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 何正安;汪鹰;孙振华 申请(专利权)人: 常熟市林芝电子有限责任公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C1/14;C23C14/34;C23C14/14
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张俊范
地址: 215500 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种陶瓷热敏电阻器真空溅射电极,包括基片表面依次溅射的过渡层、阻挡层和导电层,所述过渡层为厚度4000~5000nm的镍铬合金,所述镍铬合金中按质量百分比计,镍为80~85%,所述阻挡层为厚度4000~5000nm的镍铜合金,所述镍铜合金中按质量百分比计,镍为25~30%,所述导电层为厚度2000~3000nm的银。本发明还公开了陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法,采用真空溅射先分三次溅射形成镍铬合金过渡层,然后分三次溅射形成镍铜合金阻挡层,再分两次溅射形成银导电层。采用本发明的陶瓷热敏电阻器具有稳定的电性能,生产效率高无污染,进行关键电性能测试能达到100%合格。
搜索关键词: 陶瓷 热敏 电阻器 真空 溅射 电极 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法,包括基片生产、清洗、真空溅射,其特征在于:所述真空溅射是先用镍质量占比为80~85%的镍铬合金靶溅射4000~5000nm的镍铬合金过渡层,然后用镍质量占比为25~30%的镍铜合金靶溅射4000~5000nm的镍铜合金阻挡层,最后用银靶溅射2000~3000nm的银导电层,所述镍铬合金过渡层分三次溅射,所述镍铜合金阻挡层分三次溅射,所述银导电层分两次溅射。
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