[发明专利]陶瓷热敏电阻器真空溅射电极及其制造方法在审
| 申请号： | 201510298665.X | 申请日： | 2015-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN105006316A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 何正安;汪鹰;孙振华 | 申请（专利权）人： | 常熟市林芝电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H01C1/14;C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 热敏 电阻器 真空 溅射 电极 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法，包括基片生产、清洗、真空溅射，其特征在于：所述真空溅射是先用镍质量占比为80～85％的镍铬合金靶溅射4000～5000nm的镍铬合金过渡层，然后用镍质量占比为25～30％的镍铜合金靶溅射4000～5000nm的镍铜合金阻挡层，最后用银靶溅射2000～3000nm的银导电层，所述镍铬合金过渡层分三次溅射，所述镍铜合金阻挡层分三次溅射，所述银导电层分两次溅射。
2.一种陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法，包括基片生产、清洗、真空溅射，其特征在于：所述真空溅射是先用镍质量占比为81％的镍铬合金靶溅射4000～5000nm的镍铬合金过渡层，然后用镍质量占比为29％的镍铜合金靶溅射4000～5000nm的镍铜合金阻挡层，最后用银靶溅射2000～3000nm的银导电层。
3.根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法，其特征在于：所述真空溅射前对基片进行150℃预热。
4.根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法，其特征在于：所述真空溅射时真空度为3.2×10
5.根据权利要求1所述的陶瓷热敏电阻器真空溅射电极的制造方法，其特征在于：所述真空溅射时溅射电流为15～20A。
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