[发明专利]免封装LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510295362.2 | 申请日： | 2015-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN105047804A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 李庆;陈立人;杨龙;章玲 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/38;H01L33/12 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种免封装LED芯片及其制备方法，所述免封装LED芯片包括：LED外延结构、设于LED外延结构下方的第一电极和第二电极、以及包覆于LED外延结构上方和外侧的荧光粉硅胶层，其特征在于，所述第一电极和第二电极下方设有电性连接的导电层，所述导电层包括位于第一电极下方且延伸至第一电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第一导电层、和位于第二电极下方且延伸至第二电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层下方分别电性连接有第一邦定电极和第二邦定电极。本发明中由于邦定电极远大于倒装芯片的电极，且邦定电极凸出荧光粉硅胶层表面，因此可显著提升免封装LED芯片和外部基板的焊接性能，有效提升了LED芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种免封装LED芯片，所述免封装LED芯片包括：LED外延结构、设于LED外延结构下方的第一电极和第二电极、以及包覆于LED外延结构上方和外侧的荧光粉硅胶层，其特征在于，所述第一电极和第二电极下方设有电性连接的导电层，所述导电层包括位于第一电极下方且延伸至第一电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第一导电层、和位于第二电极下方且延伸至第二电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层下方分别电性连接有第一邦定电极和第二邦定电极。
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