[发明专利]免封装LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种免封装LED芯片，所述免封装LED芯片包括：LED外延结构、设于LED外延结构下方的第一电极和第二电极、以及包覆于LED外延结构上方和外侧的荧光粉硅胶层，其特征在于，所述第一电极和第二电极下方设有电性连接的导电层，所述导电层包括位于第一电极下方且延伸至第一电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第一导电层、和位于第二电极下方且延伸至第二电极外侧的荧光粉硅胶层下方的第二导电层，所述第一导电层和第二导电层下方分别电性连接有第一邦定电极和第二邦定电极。

2.根据权利要求1所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层为绝缘分布，第一导电层和第二导电层之间设有绝缘通道或绝缘体。

3.根据权利要求2所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述第一导电层和第二导电层的厚度相同。

4.根据权利要求1所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述导电层包括应力缓冲层和/或ODR反射层。

5.根据权利要求4所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述导电层包括与位于第一电极和第二电极下方的应力缓冲层、以及位于应力缓冲层下方的ODR反射层。

6.根据权利要求1或2所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述导电层的下方设有绝缘层，所述绝缘层上开设有位于第一电极下方的第一窗口、以及位于第二电极下方的第二窗口，所述第一邦定电极通过第一窗口与第一电极电性导通，第二邦定电极通过第二窗口与第二电极电性导通。

7.根据权利要求6所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述绝缘层连接所述第一导电层和第二导电层。

8.根据权利要求1所述的免封装LED芯片，其特征在于，所述LED外延结构包括衬底、P型半导体层、N型半导体层、位于P型半导体层和N型半导体层之间的多量子阱发光层。

9.一种免封装LED芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

S1、形成第一结构，第一结构包括LED外延结构和设于LED外延结构下方的第一电极和第二电极；

S2、形成第二结构，第二结构包括第一导电层与第一导电层电性连接的第一邦定电极、以及第二导电层与第二导电层电性连接的第二邦定电极；

S3、将第一结构和第二结构固定连接，第一电极和第二电极分别与第一导电层和第二导电层固定且电性连接；

S4、在LED外延结构上方和外侧包覆荧光粉硅胶层。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2还包括：

在第一导电层和第二导电层的下方形成绝缘层，并在绝缘层上开设有第一窗口和第二窗口，第一邦定电极和第二邦定电极分别通过第一窗口和第二窗口与第一导电层和第二导电层电性连接。