[发明专利]一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池

摘要

本发明公开了一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池，该太阳电池的结构从上至下依次包括银电极、氧化物‑金属多层膜、钝化层、硅基体和全铝背电极，所述的氧化物‑金属多层膜由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜复合而成，所述的第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为MoO3薄膜、掺锡In2O3薄膜、掺氟SnO2薄膜或掺铝ZnO薄膜，所述的金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜或Al薄膜。该电池可以避免传统的热扩散或者离子注入法制备发射极引起的俄歇复合和死层现象。还公开了上述结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，该方法制作工序少，适合大规模生产，整个制备过程无需高温。

主权项

一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池，其特征是该太阳电池的结构从上至下依次包括：银电极、氧化物‑金属多层膜、钝化层、硅基体和全铝背电极，所述的氧化物‑金属多层膜由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜复合而成，所述的第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为MoO3薄膜、掺锡In2O3薄膜、掺氟SnO2薄膜或掺铝ZnO薄膜，所述的金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜或Al薄膜；所述的第一氧化物薄膜的厚度为10～20nm，所述的金属薄膜的厚度为2～15nm，所述的第二氧化物薄膜的厚度为30～50nm；所述的钝化层为SiO2、TiO2、Al2O3或Si3N4，其厚度为1～15nm。