[发明专利]一种结构为氧化物‑金属多层膜/硅基太阳电池

权利要求书

1.一种结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池，其特征是该太阳电池的结构从上至下依次包括：银电极、氧化物-金属多层膜、钝化层、硅基体和全铝背电极，所述的氧化物-金属多层膜由第一氧化物薄膜、金属薄膜和第二氧化物薄膜复合而成，所述的第一氧化物薄膜或第二氧化物薄膜为MoO₃薄膜、掺锡In₂O₃薄膜、掺氟SnO₂薄膜或掺铝ZnO薄膜，所述的金属薄膜为Ag薄膜、Au薄膜或Al薄膜；所述的第一氧化物薄膜的厚度为10～20nm，所述的金属薄膜的厚度为2～15nm，所述的第二氧化物薄膜的厚度为30～50nm；所述的钝化层为SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或Si₃N₄，其厚度为1～15nm。

2.根据权利要求1所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池，其特征是：所述的硅基体为单晶硅或多晶硅。

3.权利要求1所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是包括以下步骤：

(1)选取晶体硅片，清洗后，在晶体硅片的前表面沉积钝化层；

(2)在步骤(1)制备的钝化层上沉积第一氧化物薄膜；

(3)在步骤(2)制备的第一氧化物薄膜上蒸镀金属薄膜；

(4)在步骤(3)制备的金属薄膜上沉积第二氧化物薄膜；

(5)在步骤(4)沉积的第二氧化物薄膜上设置银电极作为前表面电极，在晶体硅的背面设置全铝背电极。

4.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(1)中清洗采用RCA工艺清洗。

5.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述的钝化层为SiO₂、TiO₂、Al₂O₃或Si₃N₄，其厚度为1～15nm，采用热氧化、PECVD、原子层沉积或磁控溅射法制得。

6.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(2)中第一氧化物薄膜和步骤(4)中第二氧化物薄膜采用电阻式热蒸发、电子束蒸发或磁控溅射法制得。

7.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(3)中金属薄膜采用电阻式热蒸发法蒸镀制得。

8.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(5)中采用丝网印刷法或掩膜网版电阻式热蒸发法制备银栅线作为银电极，银栅线的宽度0.5～1mm，高度为200～300nm。

9.根据权利要求3所述的结构为氧化物-金属多层膜/硅基太阳电池的制备方法，其特征是：步骤(5)中采用电阻式热蒸发法蒸镀制得全铝背电极。