[发明专利]一种压力传感器的制造方法及压力传感器有效
| 申请号： | 201510289692.0 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900714B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙艳美 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感器的制造方法及压力传感器，在衬底上刻蚀出内腔；在SOI硅片或者外延片的表面形成重掺杂区、轻掺杂区，并在SOI硅片或者外延片的表面上形成绝缘层；将SOI硅片或外延片形成有重掺杂区、轻掺杂区的一侧键合在衬底的上端；将SOI硅片或外延片减薄至预定的厚度。本发明的制造方法，采用先制备压敏电阻，然后键合减薄的方式，使得压敏电阻具有较高的厚度均匀性，从而可以避免先键合减薄后注入步骤中压敏电阻膜层发生塑性变形引入的压敏电阻阻值的误差，保证了压敏电阻的准确性，有利于提高压力传感器的性能和传感器的小型化制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在衬底(1)上刻蚀出内腔(8)；b)在SOI硅片或者外延片的表面形成重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)，并在SOI硅片或者外延片的表面上形成绝缘层(2)；c)将SOI硅片或外延片形成有重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧键合在衬底(1)的上端，并使其悬置在衬底内腔(8)的上方；e)将SOI硅片或外延片远离重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧减薄至预定的厚度；f)在SOI硅片或外延片的表面形成贯通至重掺杂区(5)的凹槽(6)；g)在所述凹槽(6)中设置连接重掺杂区(5)的金属部(7)。
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