[发明专利]一种压力传感器的制造方法及压力传感器有效
| 申请号： | 201510289692.0 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104900714B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 孙艳美 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 压力传感器 制造 方法 | ||
1.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)在衬底(1)上刻蚀出内腔(8)；
b)在SOI硅片或者外延片的表面形成重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)，并在SOI硅片或者外延片的表面上形成绝缘层(2)；
c)将SOI硅片或外延片形成有重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧键合在衬底(1)的上端，并使其悬置在衬底内腔(8)的上方；
e)将SOI硅片或外延片远离重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧减薄至预定的厚度；
f)在SOI硅片或外延片的表面形成贯通至重掺杂区(5)的凹槽(6)；
g)在所述凹槽(6)中设置连接重掺杂区(5)的金属部(7)。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤a)中，通过干法或者湿法在衬底(1)上刻蚀出内腔(8)。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤b)中还包括形成SOI硅片或外延片的步骤：通过氧化层(10)将单晶硅片(3)键合或外延在硅衬底(9)上。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述步骤f)中，通过腐蚀的方式形成凹槽(6)。
5.一种压力传感器的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
a)在SOI硅片或者外延片的表面形成重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)，并在SOI硅片或者外延片的表面上形成绝缘层(2)；
b)在衬底(1)上刻蚀出内腔(8)；
c)将SOI硅片或外延片形成有重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧键合在衬底(1)的上端，并使其悬置在衬底内腔(8)的上方；
e)将SOI硅片或外延片远离重掺杂区(5)、轻掺杂区(4)的一侧减薄至预定的厚度；
f)在SOI硅片或外延片的表面形成贯通至重掺杂区(5)的凹槽(6)；
g)在所述凹槽(6)中设置连接重掺杂区(5)的金属部(7)。
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