[发明专利]一种提高半导体激光器可靠性方法在审
| 申请号： | 201510280995.6 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN106300010A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李再金;李特;曲轶;乔忠良;李辉;李林;刘国军;薄报学;马晓辉 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/22 | 分类号： | H01S5/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体光电子学技术领域，涉及一种提高半导体激光器可靠性方法，包括：半导体激光器解理条1，厚度为2.5纳米钆2，厚度为20纳米的钆镓榴石3。将解理好的半导体激光器解理条1整齐的堆叠在镀膜夹具上，放入镀膜机里，抽取真空。当真空度达到高真空时，开始镀膜，首先镀厚度为2.5纳米钆2，再镀厚度为20纳米的钆镓榴石3，这种方法膜能有效地降低半导体激光器腔面损伤，提高半导体激光器的可靠性。本发明能有效地提高半导体激光器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 半导体激光器 可靠性 方法 | ||
【主权项】：
一种提高半导体激光器可靠性方法，其特征在于包括：半导体激光器解理条1，钆2，钆镓榴石3，具体步骤如下：步骤（1），将解理好的半导体激光器解理条1整齐的堆叠在镀膜夹具上，放入镀膜机里，抽取真空；步骤（2），当达到高真空度时，镀钆2，厚度在2纳米‑3纳米之间；步骤（3），镀钆镓榴石3，厚度在15纳米‑20纳米之间。
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