[发明专利]降低MOS晶体管GIDL电流的方法

摘要

本发明公开了一种降低MOS晶体管GIDL电流的方法，包括步骤步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅层；形成第一光刻胶图形定义出多晶硅栅形成区域,进行刻蚀形成多晶硅栅；以第一光刻胶图形为掩膜对栅介质层进行刻蚀；以第一光刻胶图形为掩膜对半导体衬底进行刻蚀；进行氧化工艺形成侧壁氧化层；进行轻掺杂漏注入，源漏注入。本发明能降低漏端硅表面电场，降低GIDL电流。

主权项

一种降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅层；步骤二、采用光刻工艺形成第一光刻胶图形定义出MOS晶体管的多晶硅栅形成区域；以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述多晶硅层进行刻蚀形成所述MOS晶体管的多晶硅栅；步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述栅介质层进行刻蚀，刻蚀后将所述多晶硅栅区域外的所述栅介质层都去除；步骤四、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，刻蚀后所述多晶硅栅区域外的半导体衬底表面低于所述多晶硅栅底部的半导体衬底表面；步骤五、进行氧化工艺，该氧化工艺在所述多晶硅栅侧壁以及所述多晶硅栅底部的所述半导体衬底侧壁形成侧壁氧化层；通过位于所述多晶硅栅底部的所述半导体衬底侧壁的所述侧壁氧化层来降低所述MOS晶体管的GIDL电流；步骤六、进行轻掺杂漏注入，源漏注入。