[发明专利]降低MOS晶体管GIDL电流的方法有效
| 申请号： | 201510269034.5 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN104900504B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 胡君;钱文生;段文婷;石晶 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 mos 晶体管 gidl 电流 方法 | ||
1.一种降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在半导体衬底表面依次形成栅介质层和多晶硅层；
步骤二、采用光刻工艺形成第一光刻胶图形定义出MOS晶体管的多晶硅栅形成区域；以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述多晶硅层进行刻蚀形成所述MOS晶体管的多晶硅栅；
步骤三、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述栅介质层进行刻蚀，刻蚀后将所述多晶硅栅区域外的所述栅介质层都去除；
步骤四、以所述第一光刻胶图形为掩膜对所述半导体衬底进行刻蚀，刻蚀后所述多晶硅栅区域外的半导体衬底表面低于所述多晶硅栅底部的半导体衬底表面；
步骤五、进行氧化工艺，该氧化工艺在所述多晶硅栅侧壁以及所述多晶硅栅底部的所述半导体衬底侧壁形成侧壁氧化层；通过位于所述多晶硅栅底部的所述半导体衬底侧壁的所述侧壁氧化层来降低所述MOS晶体管的GIDL电流；
步骤六、进行轻掺杂漏注入，源漏注入。
2.如权利要求1所述的降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于：所述半导体衬底为硅衬底。
3.如权利要求1或2所述的降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层。
4.如权利要求1所述的降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于：步骤四中的所述半导体衬底的刻蚀量越大，步骤五中所述多晶硅栅底部的所述半导体衬底侧壁形成的侧壁氧化层的高度越大，所述MOS晶体管的GIDL电流越小。
5.如权利要求1或4所述的降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于：步骤四中的所述半导体衬底的刻蚀量为小于等于500埃。
6.如权利要求1所述的降低MOS晶体管GIDL电流的方法，其特征在于：步骤六的所述轻掺杂漏注入之后、所述源漏注入之前还包括在所述多晶硅栅侧面形成氮化硅侧壁的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
