[发明专利]一种薄膜平面化的半导体工艺在审
| 申请号： | 201510262462.5 | 申请日： | 2015-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104867817A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;刘奇;孙捷;许坤 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/203;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 沈波 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜平面化的半导体工艺，在现有的利用石墨烯薄膜来制作半导体工艺中，常常会遇到薄膜受损严重的情况。本发明将光刻与溅射工艺相结合，并利用感应耦合等离子体刻蚀(Inductively Coupled Plasma，ICP)，来保证石墨烯薄膜和金属结构的完整接触。在提高了金属和衬底的粘附性的同时，又不损坏石墨烯的薄膜结构，大大提高了半导体器件的可靠性和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 平面化 半导体 工艺 | ||
【主权项】：
一种薄膜平面化的半导体工艺，其特征在于：具体工艺步骤如下：S1将带有绝缘介质层的硅片洗净后，准备光刻，此时绝缘介质层(2)在硅衬底(1)上；S2光刻，光刻胶(3)在绝缘介质层(2)上；S3用光刻胶(3)作掩膜，ICP刻蚀，刻蚀凹槽；S4选择好刻蚀参数，在刻蚀完成后去胶，并用台阶仪测量所刻蚀凹槽的深度；S5溅射金属，溅射的厚度为上一步测出的对应深度，则此时溅射的金属材料(4)刚好能填平S3所刻蚀的凹槽；S6用有机溶液剥离掉多余的金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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