[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201510254665.X | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN104867985A | 公开（公告）日： | 2015-08-26 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，由于在有源层与源漏电极之间设置有刻蚀阻挡层，该刻蚀阻挡层在与源漏电极接触的区域为金属或金属合金，以保证不用设置过孔就可以使源漏电极与有源层之间电连接；并且，通过氧化工艺将位于源电极与漏电极所在的区域之间的刻蚀阻挡层氧化为绝缘材料，保证当薄膜晶体管处于截止状态时源漏电极间是绝缘的，从而保证了薄膜晶体管可以正常工作。正是由于在上述薄膜晶体管中，在有源层与源漏电极之间设置有刻蚀阻挡层，因此刻蚀阻挡层不仅可以避免刻蚀源漏电极时对有源层造成破坏，并且可以防止有源层不受后续工艺的影响，例如水、氢、氧等对有源层产生影响，从而提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、以及源漏电极，其特征在于，还包括：位于所述有源层与所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影重合；且位于所述源漏电极正下方的所述刻蚀阻挡层的材料为金属或金属合金，位于所述源漏电极中的源电极所在的区域与所述源漏电极中的漏电极所在的区域之间的所述刻蚀阻挡层的材料为所述金属或金属合金的氧化物，且所述金属或金属合金的氧化物为绝缘材料。
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