[发明专利]一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体体技术领域，尤指一种薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

随着平板显示行业的发展，对显示面板的要求越来越高，其中对面板中薄膜晶体管的迁移率也提出了更高的要求。目前，现有的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)一般为非晶硅薄膜晶体管，非晶硅薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为非晶硅材料，非晶硅薄膜晶体管的载流子的迁移率较低，其电子迁移率为0.1-1cm²V^-1s^-1，不能适应目前显示行业的发展。因此开发了低温多晶硅(LTPS，Low Temperature Poly Silicon)薄膜晶体管和氧化物(Oxide)薄膜晶体管。

LTPS薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为低温多晶硅材料，低温多晶硅是指在较低温度下将非晶硅转变为多晶硅，LTPS薄膜晶体管其载流子迁移率很高约为100-500cm²V^-1s^-1，但是其均匀性问题很难解决，因而在面向大尺寸面板的应用时，出现了很难克服的障碍。氧化物薄膜晶体管即薄膜晶体管的有源层为氧化物半导体材料，氧化物薄膜晶体管在保证较好的大尺寸均匀性的前提下，可以做到其载流子迁移率为10cm²V^-1s^-1。因此，氧化物薄膜晶体管由于迁移率高、均一性好、透明以及制作工艺简单，可以更好地满足大尺寸显示面板的需求，而备受人们的关注。

目前，在制备氧化物薄膜晶体管的过程中，在形成金属氧化物有源层后形成源电极层和漏电极层，但是进行源漏电极的刻蚀时会对金属氧化物有源层造成的一定程度的破坏，虽然可以通过调整刻蚀液来改善，但是不能避免，这样就造成薄膜晶体管性能恶化，甚至导致氧化物薄膜晶体管没有开关性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种了薄膜晶体管、其制备方法、阵列基板及显示装置，用以避免刻蚀源漏电极时对有源层造成破坏。

因此，本发明实施例提供了一种薄膜晶体管，包括：衬底基板，依次位于所述衬底基板上的栅电极、栅极绝缘层、有源层、以及源漏电极；还包括：

位于所述有源层与所述源漏电极之间的刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影重合；且位于所述源漏电极正下方的所述刻蚀阻挡层的材料为金属或金属合金，位于所述源漏电极中的源电极所在的区域与所述源漏电极中的漏电极所在的区域之间的所述刻蚀阻挡层的材料为所述金属或金属合金的氧化物，且所述金属或金属合金的氧化物为绝缘材料。

较佳地，为了降低阻抗，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述源漏电极的材料为铜，且所述刻蚀阻挡层的材料与所述源漏电极的材料不相同。

较佳地，为了防止源漏电极被氧化，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，还包括：

位于所述源漏电极上的防氧化层，且所述防氧化层在所述衬底基板的正投影与所述源漏电极在所述衬底基板的正投影重合。

较佳地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述防氧化层的材料为金属材料，且所述防氧化层的材料与所述源漏电极的材料不相同。

较佳地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述刻蚀阻挡层的材料为钼、钛、钨、钼合金或钛合金。

较佳地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述刻蚀阻挡层的厚度为

较佳地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述防氧化层的材料为钼、钛、钨、钼合金或钛合金。

较佳地，在本发明实施例提供的上述薄膜晶体管中，所述有源层的材料为金属氧化物材料。

相应地，本发明实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上形成栅电极的图形；

形成覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成有源层和刻蚀阻挡层的图形，其中，所述刻蚀阻挡层的位于所述有源层的上方，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板的正投影与所述有源层在所述衬底基板的正投影重合，所述刻蚀阻挡层的材料为金属或金属合金；

在所述刻蚀阻挡层的图形上形成源漏电极的图形；

通过氧化工艺将位于所述源漏电极中的源电极所在的区域与所述源漏电极中的漏电极所在的区域之间的所述刻蚀阻挡层氧化成所述金属或金属合金的氧化物，且所述金属或金属合金的氧化物为绝缘材料。