[发明专利]一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管

摘要

本发明实施例公开了一种肖特基二极管的制作方法及肖特基二极管。本发明实施例中，在硅衬底层上形成GaN层、势垒层和钝化层，至少刻蚀钝化层至势垒层，形成阳极接触孔；形成介质层，并对介质层进行刻蚀，形成薄层的阳极介质；阳极介质至少覆盖阳极接触孔部分底部并与阳极接触孔侧壁接触；在阳极接触孔内填充金属，形成阳极。本发明实施例在阳极边缘形成阳极介质，该阳极介质减小了金属与AlGaN层的接触面积，即减小了肖特基结的面积，从而有效降低了肖特基二极管的反向漏电流；另一方面，该阳极介质也避免了金属与钝化层之间因接触表面缺陷而造成的漏电，进一步降低了肖特基二极管的反向漏电流。

主权项

一种肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底层上依次形成GaN层、势垒层和钝化层；至少刻蚀所述钝化层至所述势垒层，形成阳极接触孔；淀积形成介质层；对所述介质层进行刻蚀，形成薄层的阳极介质；所述阳极介质至少覆盖所述阳极接触孔部分底部并与所述阳极接触孔侧壁接触；在所述阳极接触孔内填充阳极金属，形成阳极。