[发明专利]ESL型TFT基板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种ESL型TFT基板结构及其制作方法。该ESL型TFT基板结构中，蚀刻阻挡层(5)对应氧化物半导体层(4)的两侧分别设有第一过孔(51)、与第二过孔(52)；漏极(6)经由第一过孔(51)接触氧化物半导体层(4)；钝化保护层(7)设有与第二过孔(52)贯通的通孔(72)；电极层(8)设于钝化保护层(7)上，其一侧相对靠近所述漏极(6)并经由所述通孔(72)与第二过孔(52)接触氧化物半导体层(4)，构成源极(81)，另一侧沿相对远离所述漏极(6)的方向延伸，构成像素电极(82)。该ESL型TFT基板结构具有较小的沟道长度，一方面使得TFT具有良好的导电能力，一方面使TFT尺寸较小，从而可以提高像素开口率，降低像素设计难度。

主权项

一种ESL型TFT基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，得到栅极(2)；步骤2、在所述栅极(2)及基板(1)上沉积栅极绝缘层(3)；在所述栅极绝缘层(3)上沉积并图案化氧化物半导体层(4)；步骤3、在所述氧化物半导体层(4)上沉积蚀刻阻挡层(5)，并采用灰阶光罩对所述蚀刻阻挡层(5)进行图案化处理，将对应于所述氧化物半导体层(4)一侧上方的蚀刻阻挡层(5)完全蚀刻掉，暴露出所述氧化物半导体层(4)的一侧区域，形成通透的第一过孔(51)，将对应于所述氧化物半导体层(4)另一侧上方的蚀刻阻挡层(5)部分蚀刻掉，不暴露出所述氧化物半导体层(4)的另一侧区域，形成盲孔形式的第二过孔(52)；所述第一、第二过孔(51、52)之间的间隔距离(L4)定义出沟道长度；步骤4、在所述蚀刻阻挡层(5)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，得到漏极(6)；所述漏极(6)经由所述第一过孔(51)与所述氧化物半导体层(4)相接触；步骤5、在所述漏极(6)与蚀刻阻挡层(5)上沉积钝化保护层(7)，并对钝化保护层(7)进行图案化处理，形成与所述盲孔形式的第二过孔(52)贯通的通孔(72)，同时将所述盲孔形式的第二过孔(52)完全挖开，形成通透的第二过孔(52)，保持沟道长度不变；步骤6、在所述钝化保护层(7)上沉积并图案化电极层(8)，所述电极层(8)的一侧相对靠近所述漏极(6)并经由所述通孔(72)与第二过孔(52)接触氧化物半导体层(4)，构成源极(81)；所述电极层(8)的另一侧沿相对远离所述漏极(6)的方向延伸，构成像素电极(82)。