[发明专利]ESL型TFT基板结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种ESL型TFT基板结构及其制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示器已经逐步取代CRT显示器，广泛的应用于液晶电视、手机、个人数字助理、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

显示面板是LCD、OLED的重要组成部分。不论是LCD的显示面板，还是OLED的显示面板，通常都具有一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板。以LCD的显示面板为例，其主要是由一TFT基板、一彩色滤光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在TFT基板与CF基板上施加驱动电压来控制液晶层中液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

目前，现有的TFT基板主要有：共平面(Coplanar)型、具有蚀刻阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)型、背沟道蚀刻(Back Channel Etch，BCE)型等多种类型。

请参阅图1，现有的ESL型TFT基板包括基板10、依次设于基板10上的栅极20、栅极绝缘层30、氧化物半导体层40、蚀刻阻挡层50、源极61、漏极62、钝化保护层70、及像素电极80。

图1所示的ESL型TFT基板采用蚀刻阻挡层ESL来避免背沟道损伤，但由于制程精度存在偏差(如曝光制程的对位偏差，蚀刻制程的线宽偏差等)，源极61与漏极62必须与蚀刻阻挡层50存在一定的重叠长度L1和L3，加上在现有的制程能力下源极61与漏极62之间的最小狭缝长度L2，实际的沟道长度L为L1、L2、L3之和，即L＝L1+L2+L3，大于同样设计的BCE型TFT基板内背沟道的长度，BCE型TFT基板内背沟道的长度即为源极与漏极之间的最小狭缝长度L2。

较大的沟道长度L，一方面容易造成TFT的导电性能下降，另一方面使TFT尺寸增大，从而造成像素的开口率下降，增加了像素设计的难度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种ESL型TFT基板结构，其具有较小的沟道长度，一方面使得TFT具有良好的导电能力，一方面使TFT尺寸较小，从而可以提高像素开口率，降低像素设计难度。

本发明的目的还在于提供一种ESL型TFT基板的制作方法，能够减小沟道长度，提高TFT的导电能力，同时减小TFT尺寸，从而可以提高像素开口率，降低像素设计难度。

为实现上述目的，本发明提供一种ESL型TFT基板结构，包括：

基板；

设于所述基板上的栅极；

设于所述栅极及基板上的栅极绝缘层；

位于所述栅极上方设于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；

设于所述氧化物半导体层上的蚀刻阻挡层，所述蚀刻阻挡层对应所述氧化物半导体层的两侧分别设有第一过孔、与第二过孔；

设于所述蚀刻阻挡层上经由第一过孔接触氧化物半导体层的漏极；

设于所述漏极与蚀刻阻挡层上的钝化保护层，所述钝化保护层设有与第二过孔贯通的通孔；

设于所述钝化保护层上的电极层；所述电极层的一侧相对靠近所述漏极并经由所述通孔与第二过孔接触氧化物半导体层，构成源极；所述电极层的另一侧沿相对远离所述漏极的方向延伸，构成像素电极。

所述源极与所述漏极在所述栅极上方的空间内无交叠。

所述源极与所述漏极在所述栅极上方的空间内有交叠。

所述氧化物半导体层的材料为铟镓锌氧化物。

所述电极层的材料为氧化铟锡。

本发明还提供一种ESL型TFT基板的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、提供一基板，在所述基板上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，得到栅极；

步骤2、在所述栅极及基板上沉积栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上沉积并图案化氧化物半导体层；

步骤3、在所述氧化物半导体层上沉积蚀刻阻挡层，并采用灰阶光罩对所述蚀刻阻挡层进行图案化处理，将对应于所述氧化物半导体层一侧上方的蚀刻阻挡层完全蚀刻掉，暴露出所述氧化物半导体层的一侧区域，形成通透的第一过孔，将对应于所述氧化物半导体层另一侧上方的蚀刻阻挡层部分蚀刻掉，不暴露出所述氧化物半导体层的另一侧区域，形成盲孔形式的第二过孔；

所述第一、第二过孔之间的间隔距离定义出沟道长度；