[发明专利]Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201510245228.1 申请日: 2015-05-14
公开(公告)号: CN104891986A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 袁昌来;周星星;冯琴;刘笑;周昌荣;杨涛;许积文;黎清宁;陈国华 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要: 发明涉及Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷及其制备方法,其中,Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种,且0.1≤x≤0.3。先采用传统粉体合成技术合成Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3粉体,然后采用两步烧结技术制备Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1-xTi1-xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷。本发明制备的高储能密度陶瓷电容器的储能密度为0.7~1.8 J/cm3,储能密度大小基于成分和工艺可调。
搜索关键词: bi sub 0.5 na 0.4 0.1 ti me 无铅反铁电高储能 密度 陶瓷 及其 制备
【主权项】:
Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1‑xTi1‑xMexO3无铅反铁电高储能密度陶瓷,其特征是:其组成通式为Bix(Bi0.5Na0.4K0.1)1‑xTi1‑xMexO3,其中:0.1≤x≤0.3,Me为Al3+、Co3+、Cr3+、(Zn0.5Ti0.5)3+、(Mg0.5Ti0.5)3+、(Ni0.5Ti0.5)3+中的一种。
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