[发明专利]金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件在审
| 申请号： | 201510236772.X | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106298655A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 邱海亮;闻正锋;马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙)11343 | 代理人： | 尚志峰,汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种金属氧化物功率器件的制备方法及功率器件，其中，制备方法包括：在衬底的正侧形成的金属氧化物功率单元的介质层上形成第一金属电极，同时，在衬底的正侧的预留区域的介质层上形成第二金属电极；在第二金属电极上形成平坦化的电容的介电层；暴露与第一金属电极导通的第一接触孔和与第二金属电极导通的第二接触孔；形成金属氧化物功率单元的源极电极和漏极电极，以完成金属氧化物功率单元的制备过程；形成电容的下电极和电容的上电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备过程。通过本发明的技术方案，通过将电容和金属氧化物功率单元制备在一个功率器件上，不仅增大了功率器件的集成度，还降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 功率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物功率器件的制备方法，其特征在于，包括：在衬底的正侧形成的金属氧化物功率单元的介质层上形成第一金属电极，同时，在所述衬底的正侧的预留区域的所述介质层上形成第二金属电极；在所述第二金属电极上形成平坦化的所述电容的介电层；对所述介电层进行图形化处理，以暴露与所述第一金属电极导通的第一接触孔和与所述第二金属电极导通的第二接触孔；通过所述第一接触孔形成与所述第一金属电极导通的辅助金属电极，以形成所述金属氧化物功率单元的源极电极和漏极电极，以完成所述金属氧化物功率单元的制备过程；通过所述第二接触孔形成与所述第二金属电极导通的第三金属电极，以形成所述电容的下电极；在所述预留区域对应的介电层上形成第四金属电极，以形成所述电容的上电极，以完成所述金属氧化物功率器件的制备过程。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510236772.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
