[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置在审
| 申请号： | 201510236089.6 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN104779302A | 公开（公告）日： | 2015-07-15 |
| 发明（设计）人： | 高锦成;张斌;何晓龙;孔祥春;姚琪;曹占锋;李正亮 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置，属于薄膜晶体管技术领域。薄膜晶体管的制作方法包括：在形成所述薄膜晶体管的半导体层之后，采用不与酸性溶液发生反应的导电膜层在所述半导体层上形成保护层；在所述保护层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极；利用干法刻蚀去除所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层，暴露出所述区域的半导体层。本发明的技术方案能够较好地保护Oxide薄膜晶体管的氧化物半导体，并且比现有的ESL方法减少一次构图工艺；与现有ESL结构的Oxide薄膜晶体管相比，沟道尺寸可以更小，有利于Oxide薄膜晶体管阵列基板开口率的提高和在高PPI产品中应用。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在形成所述薄膜晶体管的半导体层之后，采用不与酸性溶液发生反应的导电膜层在所述半导体层上形成保护层；在所述保护层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极；利用干法刻蚀去除所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层，暴露出所述区域的半导体层。
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