[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在形成所述薄膜晶体管的半导体层之后，采用不与酸性溶液发生反应的导电膜层在所述半导体层上形成保护层；

在所述保护层上形成所述薄膜晶体管的源电极和漏电极；

利用干法刻蚀去除所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层，暴露出所述区域的半导体层。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述导电膜层为非晶碳膜。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述利用干法刻蚀去除所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层的步骤包括：

对所述源电极、漏电极之间间隙与半导体层对应区域的保护层进行氧等离子体刻蚀，去除所述区域的保护层。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用非晶碳膜形成保护层的步骤包括：

采用溅射方式在形成有薄膜晶体管的半导体层的基板上形成所述保护层，其中，溅射靶材采用纯度大于99.99％的石墨，溅射腔室内的真空度为0.1-100×10^-3Pa，工作气压为0.1-1Pa，工艺气体流量为25mL/min(sccm)，石墨靶材的功率为1-2kW。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

半导体层；

位于所述半导体层上的源电极和漏电极；

所述半导体层包括与所述源电极对应的源极区、与所述漏电极对应的漏极区、以及位于所述源极区和漏极区之间并与所述源电极和漏电极之间间隙对应的间隙区，其中，所述源极区与所述源电极之间、所述漏极区与所述漏电极之间均通过不与酸性溶液发生反应的导电膜层连接。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电膜层为非晶碳膜。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶碳膜的厚度为10-1000nm。

8.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述非晶碳膜的电阻率为1×10^-6-6×10^-5Ω·m。

9.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述间隙区的电阻率为1.06-1.09Ω·m，所述源极区和漏极区的电阻率不大于1×10^-5Ω·m。

10.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求5-9中任一项所述的薄膜晶体管。

11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求10所述的阵列基板。