[发明专利]一种氮化镓异质结MIS栅控功率二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201510230709.5 | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104952938A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 周琦;陈博文;靳旸;李健;鲍旭;施媛媛;汪玲;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/739;H01L29/40;H01L29/06;H01L29/45;H01L21/28;H01L29/66 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种氮化镓异质MIS栅控结功率二极管及其制造方法。本发明采用刻蚀阳极肖特基金属下方的势垒层来耗尽肖特基金属下方中的二维电子气，通过在刻蚀出的凹槽中淀积绝缘介质和肖特基金属形成肖特基金属/绝缘介质/半导体(MIS)栅控结构，MIS栅控结构不仅可以控制器件的开启和关断，而且能有效降低器件的反向漏电并提高器件的反向耐压；同时在二极管的阳极形成欧姆/肖特基金属短接的混合阳极设计，可以实现器件较低的正向开启电压。本发明的有益效果为，该二极管具有高反向耐压、高导通电流、低开启电压、低导通电阻和低功耗等优点。本发明尤其适用于氮化镓异质结功率二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓异质结 mis 功率 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓异质结MIS栅控功率二极管，包括衬底基片(1)、设置在衬底基片(1)上表面的外延层(2)和设置在外延层(2)上表面的势垒层(3)，所述外延层(2)和势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)两端分别设置有第一欧姆接触金属(4)和第二欧姆接触金属(5)，所述势垒层(3)在与第二欧姆接触金属(5)侧面连接处具有凹槽(7)，所述凹槽(7)与第一欧姆接触金属(4)之间的势垒层(3)上表面具有钝化层(6)；所述凹槽(7)底部及与钝化层(6)相连的侧壁以及钝化层(6)上表面具有绝缘介质(8)；所述第二欧姆接触金属(5)的上表面及凹槽(7)中具有肖特基金属(9)，所述肖特基金属(9)在绝缘介质(8)上表面向第一欧姆接触金属(5)方向延伸。
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